人物簡介:

梁駿吾 (1933.9.18-- ) 男,半導體材料專家,湖北省武漢市人。1955年畢業于武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。持“七五”、“八五”重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次。 1997年當選為中國工程院院士。

工作站簡介:

梁駿吾院士工作站是由云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司、下屬子公司云南鑫耀半導體材料有限公司和中國科學院半導體研究所共同建站,依托鑫耀公司的《磷化銦單晶及晶片生產關鍵技術研發及產業化》項目。針對我國磷化銦單晶產業發展存在的關鍵技術難題,開展2-4英寸磷化銦多晶合成、磷化銦單晶生長和開盒即用磷化銦晶片加工工藝技術的應用研究。

主要成就:

針對我國磷化銦單晶產業發展存在的關鍵技術難題,采用世界先進的VGF法(垂直梯度凝固法)生長磷化銦單晶,自主研發晶片加工工藝方法,重點解決2-4英寸VGF法單晶生長工藝中的熱場設計、最佳生長參數確定、位錯密度控制等關鍵問題和開盒即用晶片加工工藝中的化學拋光液、化學與機械拋光平衡,拋光速度與質量平衡,晶片表面光潔度等核心參數的確定問題。

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